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CMD65R580
  • 品牌：Cmos(广东场效应半导体)
  • 封装：TO-252
  • 批号：
  • 发货时效：
  • 标准包装：2500
  • 参数：数量：1个N沟道
    漏源电压(Vdss)：650V
    连续漏极电流(Id)：8A
    导通电阻(RDS(on))：620mΩ@10V,2.5A
    耗散功率(Pd)：45W
    阈值电压(Vgs(th))：2V
  • 仓库位：
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