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品牌：ElecSuper(静芯)
封装：TO-220
批号：
标准包装：50
参数：漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：140A导通电阻(RDS(on))：2mΩ@10V；3mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：83W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
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1+： ￥ 6
品牌：NH(纽航)
封装：TO-220A
参数：可控硅类型：1个双向可控硅保持电流(Ih)：50mA断态峰值电压(Vdrm)：800V门极触发电流(Igt)：35mA
5+： ￥ 2.02799
封装：PDFN3x3-8L
标准包装：5000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：24.1A导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V；24mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：20.8W阈值电压(Vgs(th))：1.5V@250uA
5+： ￥ 0.5891
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
封装：SOP-8
标准包装：3000
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：13A导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,7.0A耗散功率(Pd)：2W阈值电压(Vgs(th))：2V@250uA
5+： ￥ 1.02336
品牌：鑫飞宏
封装：SOT-23-3L
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：8.2A导通电阻(RDS(on))：15mΩ@2.5V耗散功率(Pd)：1.25W阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
5+： ￥ 0.34842
品牌：Nexperia(安世)
封装：SOT-23
标准包装：10000
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：200mA集射极击穿电压(Vceo)：40V耗散功率(Pd)：250mW直流电流增益(hFE)：60@0.1mA,1V
20+： ￥ 0.15434
封装：TO-220-3
参数：
5+： ￥ 2.32617
品牌：WINSOK(微硕)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：15V连续漏极电流(Id)：4.8A导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V,4.1A耗散功率(Pd)：1.4W阈值电压(Vgs(th))：450mV
10+： ￥ 0.22972
品牌：YANGJIE(扬杰)
封装：DFN-8(3.3x3.3)
批号：23+
参数：类型：2个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：30A功率(Pd)：32W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)：620mV@250uA
5+： ￥ 3
品牌：UTC(友顺)
封装：TO-92-3
标准包装：1000
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：300mA集射极击穿电压(Vceo)：400V
10+： ￥ 0.394
品牌：AGM-Semi(芯控源)
封装：PDFN-8(3.3x3.3)
参数：类型：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：35A导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,12A耗散功率(Pd)：45W阈值电压(Vgs(th))：1.6V
5+： ￥ 0.97382
品牌：Cmos(广东场效应半导体)
封装：TO-252
标准包装：2500
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：25A导通电阻(RDS(on))：135mΩ耗散功率(Pd)：50W
1+： ￥ 1.33518
品牌：HL(富海微)
封装：SOT-89-3L
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：6.5A导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V,3A耗散功率(Pd)：2W阈值电压(Vgs(th))：3V@250uA
10+： ￥ 0.35521
品牌：ASDsemi(安森德)
封装：PDFN-8(5x6)
标准包装：4000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：90A导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V耗散功率(Pd)：60W阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
1+： ￥ 2.438
封装：DFN1010-3
参数：晶体管类型：PNP集电极电流(Ic)：1.7A集射极击穿电压(Vceo)：60V直流电流增益(hFE)：160@100mA,2V
5+： ￥ 0.9171
品牌：宏嘉诚
参数：漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：5.6A导通电阻(RDS(on))：42mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.3W阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
10+： ￥ 0.24123
品牌：Existar(毅芯达)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流(Id)：60A导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V耗散功率(Pd)：60W阈值电压(Vgs(th))：2V@250uA
1+： ￥ 3.1164
品牌：Siliup(矽普)
封装：PDFN-8L(3x3)
参数：漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：48A导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：48W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
5+： ￥ 0.81853
品牌：Samwin(芯派)
参数：漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：120A导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@4.5V,30A耗散功率(Pd)：125W阈值电压(Vgs(th))：1.2V
5+： ￥ 2.11608
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装：SOT-523
参数：类型：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：660mA导通电阻(RDS(on))：780mΩ@2.5V,0.2A耗散功率(Pd)：150mW阈值电压(Vgs(th))：400mV
10+： ￥ 0.6
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220AB-3
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：55V导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,66A耗散功率(Pd)：170W
1+： ￥ 17.8256
封装：SOT-223-4
参数：晶体管类型：PNP集电极电流(Ic)：250mA集射极击穿电压(Vceo)：400V耗散功率(Pd)：1.4W直流电流增益(hFE)：80@100mA,10V
5+： ￥ 1.32023
品牌：DIODES(美台)
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：500mA集射极击穿电压(Vceo)：80V耗散功率(Pd)：350mW直流电流增益(hFE)：100@100mA,1.0V
10+： ￥ 0.43502
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：20A导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,20A阈值电压(Vgs(th))：1V
5+： ￥ 0.72262
品牌：MCC(美微科)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：600mA导通电阻(RDS(on))：2Ω@1.8V耗散功率(Pd)：150mW阈值电压(Vgs(th))：1.1V@250uA
10+： ￥ 0.27242
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