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品牌：Nexperia(安世)
封装：SOT-23
批号：
标准包装：3000
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：200mA集射极击穿电压(Vceo)：40V耗散功率(Pd)：250mW直流电流增益(hFE)：100
友商上海
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50+： ￥ 0.10659
500+： ￥ 0.0825
3000+： ￥ 0.07183
6000+： ￥ 0.06369
24000+： ￥ 0.0605
51000+： ￥ 0.05841
品牌：HUASHUO(华朔)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：6A导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：720mW阈值电压(Vgs(th))：700mV
10+： ￥ 0.4103
100+： ￥ 0.32582
300+： ￥ 0.28358
3000+： ￥ 0.24486
品牌：ElecSuper(静芯)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：7.5A导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.39W阈值电压(Vgs(th))：700mV
1+： ￥ 0.26004
10+： ￥ 0.19052
30+： ￥ 0.15191
100+： ￥ 0.1287
品牌：ROHM(罗姆)
封装：SOT-363
参数：数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：50V连续漏极电流(Id)：200mA导通电阻(RDS(on))：2.2Ω@4.5V耗散功率(Pd)：150mW阈值电压(Vgs(th))：1V
5+： ￥ 0.86988
50+： ￥ 0.69366
150+： ￥ 0.60544
500+： ￥ 0.53933
3000+： ￥ 0.46442
品牌：onsemi(安森美)
封装：SO-8
标准包装：2500
参数：数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：2.7A导通电阻(RDS(on))：105mΩ@10V耗散功率(Pd)：1.6W阈值电压(Vgs(th))：2.2V
1+： ￥ 7.315
10+： ￥ 5.962
30+： ￥ 5.28
100+： ￥ 4.609
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：MG-WDSON-5
标准包装：4800
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：8.3A导通电阻(RDS(on))：17.5mΩ@10V耗散功率(Pd)：2.8W阈值电压(Vgs(th))：3.9V
1+： ￥ 39.82
10+： ￥ 34.353
30+： ￥ 31.097
100+： ￥ 27.808
品牌：DIODES(美台)
封装：SMA
标准包装：5000
参数：极性：双向反向截止电压(Vrwm)：58V钳位电压：93.6V峰值脉冲电流(Ipp)：4.3A峰值脉冲功率(Ppp)：400W击穿电压：71.2V
5+： ￥ 0.56254
50+： ￥ 0.49577
150+： ￥ 0.46233
500+： ￥ 0.43736
2500+： ￥ 0.41734
5000+： ￥ 0.40733
品牌：宏嘉诚
参数：漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：5.6A导通电阻(RDS(on))：42mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.3W阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
门市现货
在16点前付款 1小时后可取
10+： ￥ 0.24123
封装：VDFN3333-8
标准包装：2000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：47A导通电阻(RDS(on))：8.8mΩ@10V耗散功率(Pd)：2.1W阈值电压(Vgs(th))：2.5V
仓库AA区
半天到门市
1+： ￥ 7.337
10+： ￥ 5.94
30+： ￥ 5.236
100+： ￥ 4.532
品牌：Liown(里阳半导体)
封装：SMC(DO-214AB)
批号：25+
参数：极性：单向反向截止电压(Vrwm)：120V钳位电压：193V峰值脉冲电流(Ipp)：15.5A峰值脉冲功率(Ppp)：3kW击穿电压：133V
5+： ￥ 1.38745
50+： ￥ 1.08879
150+： ￥ 0.96077
500+： ￥ 0.8011
3000+： ￥ 0.69451
品牌：KY(韩景元)
封装：SOT-23-3L
参数：可控硅类型：1个双向可控硅保持电流(Ih)：10mA断态峰值电压(Vdrm)：800V
10+： ￥ 0.5
100+： ￥ 0.24046
300+： ￥ 0.20878
3000+： ￥ 0.16984
6000+： ￥ 0.15081
9000+： ￥ 0.14124
品牌：GOFORD(谷峰)
封装：DFN-8(5x6)
参数：数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：35A导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A耗散功率(Pd)：20W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
5+： ￥ 2
50+： ￥ 1.43517
150+： ￥ 1.2617
500+： ￥ 0.99715
封装：PDFN3x3-8L
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：24.1A导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V；24mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：20.8W阈值电压(Vgs(th))：1.5V@250uA
5+： ￥ 0.5891
参数：类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：40V直流电流增益(hFE)：20000耗散功率(Pd)：300mW集电极电流(Ic)：500mA
5+： ￥ 1
100+： ￥ 0.33676
300+： ￥ 0.30189
3000+： ￥ 0.24846
标准包装：10000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：350mA导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V,500mA耗散功率(Pd)：440mW阈值电压(Vgs(th))：2.1V
8+： ￥ 1
100+： ￥ 0.50255
300+： ￥ 0.45654
1000+： ￥ 0.42199
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
封装：SOT-323
批号：2022
参数：极性：单向反向截止电压(Vrwm)：70V钳位电压：15V峰值脉冲电流(Ipp)：10A@8/20us
5+： ￥ 1.5
50+： ￥ 0.77878
150+： ￥ 0.68974
500+： ￥ 0.62296
3000+： ￥ 0.50912
6000+： ￥ 0.4823
品牌：MSKSEMI(美森科)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：2A导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.5W阈值电压(Vgs(th))：2.6V
100+： ￥ 0.41811
300+： ￥ 0.36977
3000+： ￥ 0.28528
品牌：YANGJIE(扬杰)
批号：23+
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：3A功率(Pd)：1.2W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
封装：TO-220
标准包装：50
参数：漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：140A导通电阻(RDS(on))：2mΩ@10V；3mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：83W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
1+： ￥ 6
品牌：NH(纽航)
封装：TO-220A
参数：可控硅类型：1个双向可控硅保持电流(Ih)：50mA断态峰值电压(Vdrm)：800V门极触发电流(Igt)：35mA
5+： ￥ 2.02799
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
封装：SOP-8
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：13A导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,7.0A耗散功率(Pd)：2W阈值电压(Vgs(th))：2V@250uA
5+： ￥ 1.02336
品牌：鑫飞宏
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：8.2A导通电阻(RDS(on))：15mΩ@2.5V耗散功率(Pd)：1.25W阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
5+： ￥ 0.34842
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：200mA集射极击穿电压(Vceo)：40V耗散功率(Pd)：250mW直流电流增益(hFE)：60@0.1mA,1V
20+： ￥ 0.15434
封装：TO-220-3
参数：
5+： ￥ 2.32617
品牌：WINSOK(微硕)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：15V连续漏极电流(Id)：4.8A导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V,4.1A耗散功率(Pd)：1.4W阈值电压(Vgs(th))：450mV
10+： ￥ 0.22972
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