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HXY3139CI
  • 品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 封装：SOT-523
  • 批号：
  • 发货时效：
  • 标准包装：3000
  • 参数：类型：1个P沟道
    漏源电压(Vdss)：20V
    连续漏极电流(Id)：660mA
    导通电阻(RDS(on))：780mΩ@2.5V,0.2A
    耗散功率(Pd)：150mW
    阈值电压(Vgs(th))：400mV
  • 仓库位：
  • 其它说明：上海仓
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