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品牌：Nexperia(安世)
封装：SOT-223
批号：
标准包装：1000
参数：类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：45V耗散功率(Pd)：1.25W集电极电流(Ic)：1A
友商上海
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1+： ￥ 2.926
10+： ￥ 2.365
30+： ￥ 2.123
100+： ￥ 1.76055
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：HSOF-8
标准包装：2000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：80V连续漏极电流(Id)：300A导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V耗散功率(Pd)：375W阈值电压(Vgs(th))：3V
1+： ￥ 12.958
10+： ￥ 11.066
30+： ￥ 9.878
100+： ￥ 8.668
500+： ￥ 8.118
1000+： ￥ 7.876
品牌：MCC(美微科)
封装：SOT-23
标准包装：3000
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：500mA集射极击穿电压(Vceo)：45V耗散功率(Pd)：300mW直流电流增益(hFE)：250@100mA,1V
20+： ￥ 0.17292
200+： ￥ 0.13904
600+： ￥ 0.12023
3000+： ￥ 0.1001
品牌：PANJIT(强茂)
封装：SOT-363
参数：数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：300mA导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@4.5V耗散功率(Pd)：350mW阈值电压(Vgs(th))：1V
10+： ￥ 0.47597
100+： ￥ 0.37829
300+： ￥ 0.32945
3000+： ￥ 0.29282
品牌：GOODWORK(固得沃克)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：5.8A导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V耗散功率(Pd)：1.5W阈值电压(Vgs(th))：1.4V
20+： ￥ 0.18777
200+： ￥ 0.1474
600+： ￥ 0.12947
3000+： ￥ 0.09548
9000+： ￥ 0.09009
30000+： ￥ 0.08646
品牌：VISHAY(威世)
封装：PowerPAKSO-8
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：80V连续漏极电流(Id)：7.6A导通电阻(RDS(on))：16.5mΩ@10V耗散功率(Pd)：1.9W阈值电压(Vgs(th))：2V
1+： ￥ 8.393
10+： ￥ 7.502
30+： ￥ 6.941
100+： ￥ 6.369
500+： ￥ 6.116
1000+： ￥ 5.995
品牌：Littelfuse/IXYS
封装：TO-247HV
标准包装：30
参数：集射极击穿电压(Vces)：3kV集电极电流(Ic)：34A耗散功率(Pd)：180W
1+： ￥ 104.478
10+： ￥ 100.364
30+： ￥ 93.236
90+： ￥ 87.021
品牌：FTR(乔光电子)
封装：DO-214AA(SMB)
参数：极性：双向反向截止电压(Vrwm)：5V钳位电压：9.2V峰值脉冲电流(Ipp)：65.3A峰值脉冲功率(Ppp)：600W@10/1000us击穿电压：6.4V
10+： ￥ 0.31823
100+： ￥ 0.25124
300+： ￥ 0.21769
3000+： ￥ 0.1804
6000+： ￥ 0.16027
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：4A导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V阈值电压(Vgs(th))：1.4V
10+： ￥ 0.30954
100+： ￥ 0.24728
300+： ￥ 0.21615
3000+： ￥ 0.19283
6000+： ￥ 0.17413
品牌：Littelfuse(美国力特)
封装：SOD-123FL
参数：极性：单向反向截止电压(Vrwm)：180V钳位电压：292V峰值脉冲电流(Ipp)：700mA峰值脉冲功率(Ppp)：200W击穿电压：201V
1+： ￥ 4.312
10+： ￥ 3.509
30+： ￥ 3.113
100+： ￥ 2.717
500+： ￥ 2.486
品牌：onsemi(安森美)
封装：SC-75(SOT-416)
参数：数量：1个NPN-预偏置集射极击穿电压(Vceo)：50V集电极电流(Ic)：100mA耗散功率(Pd)：200mW直流电流增益(hFE)：80
20+： ￥ 0.23001
200+： ￥ 0.18986
600+： ￥ 0.16753
3000+： ￥ 0.15411
品牌：R+O(宏嘉诚)
参数：极性：双向反向截止电压(Vrwm)：14V钳位电压：23.2V峰值脉冲电流(Ipp)：25.86A峰值脉冲功率(Ppp)：600W击穿电压：17.2V
10+： ￥ 0.33132
100+： ￥ 0.26532
300+： ￥ 0.23232
1000+： ￥ 0.20757
5000+： ￥ 0.16511
10000+： ￥ 0.1551
品牌：KY(韩景元)
封装：SOT-23-3L
参数：可控硅类型：1个双向可控硅保持电流(Ih)：10mA断态峰值电压(Vdrm)：800V
门市现货
在16点前付款 1小时后可取
10+： ￥ 0.5
100+： ￥ 0.24046
300+： ￥ 0.20878
3000+： ￥ 0.16984
6000+： ￥ 0.15081
9000+： ￥ 0.14124
品牌：GOFORD(谷峰)
封装：DFN-8(5x6)
标准包装：5000
参数：数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：35A导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A耗散功率(Pd)：20W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
5+： ￥ 2
50+： ￥ 1.43517
150+： ￥ 1.2617
500+： ￥ 0.99715
品牌：ElecSuper(静芯)
封装：PDFN3x3-8L
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：24.1A导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V；24mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：20.8W阈值电压(Vgs(th))：1.5V@250uA
5+： ￥ 0.5891
品牌：DIODES(美台)
参数：类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：40V直流电流增益(hFE)：20000耗散功率(Pd)：300mW集电极电流(Ic)：500mA
5+： ￥ 1
100+： ￥ 0.33676
300+： ￥ 0.30189
3000+： ￥ 0.24846
标准包装：10000
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：350mA导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V,500mA耗散功率(Pd)：440mW阈值电压(Vgs(th))：2.1V
8+： ￥ 1
100+： ￥ 0.50255
300+： ￥ 0.45654
1000+： ￥ 0.42199
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
封装：SOT-323
批号：2022
参数：极性：单向反向截止电压(Vrwm)：70V钳位电压：15V峰值脉冲电流(Ipp)：10A@8/20us
5+： ￥ 1.5
50+： ￥ 0.77878
150+： ￥ 0.68974
500+： ￥ 0.62296
3000+： ￥ 0.50912
6000+： ￥ 0.4823
品牌：MSKSEMI(美森科)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：2A导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.5W阈值电压(Vgs(th))：2.6V
100+： ￥ 0.41811
300+： ￥ 0.36977
3000+： ￥ 0.28528
品牌：YANGJIE(扬杰)
批号：23+
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：3A功率(Pd)：1.2W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
封装：TO-220
标准包装：50
参数：漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：140A导通电阻(RDS(on))：2mΩ@10V；3mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：83W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
1+： ￥ 6
品牌：NH(纽航)
封装：TO-220A
参数：可控硅类型：1个双向可控硅保持电流(Ih)：50mA断态峰值电压(Vdrm)：800V门极触发电流(Igt)：35mA
5+： ￥ 2.02799
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
封装：SOP-8
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：13A导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,7.0A耗散功率(Pd)：2W阈值电压(Vgs(th))：2V@250uA
5+： ￥ 1.02336
品牌：鑫飞宏
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：8.2A导通电阻(RDS(on))：15mΩ@2.5V耗散功率(Pd)：1.25W阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
5+： ￥ 0.34842
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：200mA集射极击穿电压(Vceo)：40V耗散功率(Pd)：250mW直流电流增益(hFE)：60@0.1mA,1V
20+： ￥ 0.15434
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