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品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
封装：SOT-223-2
批号：
标准包装：4000
参数：保持电流(Ih)：5mA断态峰值电压(Vdrm)：800V门极触发电流(Igt)：5mA
友商上海
上海仓，1-3天
5+： ￥ 0.6025
50+： ￥ 0.48039
150+： ￥ 0.41934
500+： ￥ 0.37354
2500+： ￥ 0.288
4000+： ￥ 0.26966
品牌：Cmos(广东场效应半导体)
封装：TO-252
标准包装：2500
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：650V连续漏极电流(Id)：8A导通电阻(RDS(on))：620mΩ@10V,2.5A耗散功率(Pd)：45W阈值电压(Vgs(th))：2V
1+： ￥ 2.96058
10+： ￥ 2.63834
30+： ￥ 2.47722
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1000+： ￥ 2.07442
品牌：YANGJIE(扬杰)
封装：DFN-8(3.3x3.3)
批号：23+
标准包装：5000
参数：类型：2个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：30A功率(Pd)：32W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)：620mV@250uA
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5000+： ￥ 0.93456
品牌：UTC(友顺)
封装：TO-92-3
标准包装：1000
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：300mA集射极击穿电压(Vceo)：400V
10+： ￥ 0.394
100+： ￥ 0.31365
300+： ￥ 0.27348
1000+： ￥ 0.24327
品牌：AGM-Semi(芯控源)
封装：PDFN-8(3.3x3.3)
参数：类型：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：35A导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,12A耗散功率(Pd)：45W阈值电压(Vgs(th))：1.6V
5+： ￥ 0.97382
50+： ￥ 0.76013
150+： ￥ 0.66854
500+： ￥ 0.55427
2500+： ￥ 0.49279
5000+： ￥ 0.46216
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：25A导通电阻(RDS(on))：135mΩ耗散功率(Pd)：50W
1+： ￥ 1.33518
10+： ￥ 1.16127
30+： ￥ 1.08675
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500+： ￥ 0.95232
1000+： ￥ 0.8778
品牌：HL(富海微)
封装：SOT-89-3L
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：6.5A导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V,3A耗散功率(Pd)：2W阈值电压(Vgs(th))：3V@250uA
10+： ￥ 0.35521
100+： ￥ 0.28397
300+： ￥ 0.24836
1000+： ￥ 0.21348
5000+： ￥ 0.19207
10000+： ￥ 0.18147
品牌：ASDsemi(安森德)
封装：PDFN-8(5x6)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：90A导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V耗散功率(Pd)：60W阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
1+： ￥ 2.438
10+： ￥ 2.385
30+： ￥ 2.3532
100+： ￥ 2.3108
品牌：Nexperia(安世)
封装：DFN1010-3
参数：晶体管类型：PNP集电极电流(Ic)：1.7A集射极击穿电压(Vceo)：60V直流电流增益(hFE)：160@100mA,2V
5+： ￥ 0.9171
50+： ￥ 0.71143
150+： ￥ 0.57872
500+： ￥ 0.53477
2500+： ￥ 0.51521
5000+： ￥ 0.50345
品牌：宏嘉诚
封装：SOT-23
标准包装：3000
参数：漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：5.6A导通电阻(RDS(on))：42mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：1.3W阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
10+： ￥ 0.24123
100+： ￥ 0.19115
300+： ￥ 0.16611
3000+： ￥ 0.14728
6000+： ￥ 0.13229
9000+： ￥ 0.1248
品牌：Existar(毅芯达)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流(Id)：60A导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V耗散功率(Pd)：60W阈值电压(Vgs(th))：2V@250uA
1+： ￥ 3.1164
10+： ￥ 2.5493
30+： ￥ 2.2631
100+： ￥ 1.9822
500+： ￥ 1.6165
1000+： ￥ 1.5264
品牌：Siliup(矽普)
封装：PDFN-8L(3x3)
参数：漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：48A导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V耗散功率(Pd)：48W阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
5+： ￥ 0.81853
50+： ￥ 0.64045
150+： ￥ 0.55141
500+： ￥ 0.48463
2500+： ￥ 0.43121
5000+： ￥ 0.40439
品牌：Samwin(芯派)
参数：漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：120A导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@4.5V,30A耗散功率(Pd)：125W阈值电压(Vgs(th))：1.2V
5+： ￥ 2.11608
50+： ￥ 1.66197
150+： ￥ 1.46736
500+： ￥ 1.22451
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装：SOT-523
参数：类型：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：660mA导通电阻(RDS(on))：780mΩ@2.5V,0.2A耗散功率(Pd)：150mW阈值电压(Vgs(th))：400mV
10+： ￥ 0.6
100+： ￥ 0.15
300+： ￥ 0.10422
3000+： ￥ 0.09254
6000+： ￥ 0.08348
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220AB-3
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：55V导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,66A耗散功率(Pd)：170W
1+： ￥ 17.8256
10+： ￥ 15.31467
30+： ￥ 13.82007
100+： ￥ 12.31052
封装：SOT-223-4
参数：晶体管类型：PNP集电极电流(Ic)：250mA集射极击穿电压(Vceo)：400V耗散功率(Pd)：1.4W直流电流增益(hFE)：80@100mA,10V
5+： ￥ 1.32023
50+： ￥ 1.03604
150+： ￥ 0.91425
1000+： ￥ 0.76235
品牌：DIODES(美台)
参数：晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：500mA集射极击穿电压(Vceo)：80V耗散功率(Pd)：350mW直流电流增益(hFE)：100@100mA,1.0V
10+： ￥ 0.43502
100+： ￥ 0.34789
300+： ￥ 0.30433
3000+： ￥ 0.27168
品牌：ElecSuper(静芯)
参数：数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流(Id)：20A导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,20A阈值电压(Vgs(th))：1V
5+： ￥ 0.72262
50+： ￥ 0.54007
150+： ￥ 0.44879
500+： ￥ 0.38033
品牌：MCC(美微科)
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：600mA导通电阻(RDS(on))：2Ω@1.8V耗散功率(Pd)：150mW阈值电压(Vgs(th))：1.1V@250uA
10+： ￥ 0.27242
100+： ￥ 0.21295
300+： ￥ 0.18317
3000+： ￥ 0.1608
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
封装：SOT-723
标准包装：8000
参数：集射极击穿电压(Vceo)：50V集电极电流(Ic)：100mA耗散功率(Pd)：100mW直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
10+： ￥ 0.12467
100+： ￥ 0.10956
300+： ￥ 0.102
1000+： ￥ 0.09633
5000+： ￥ 0.09186
封装：SOT-363
参数：集射极击穿电压(Vceo)：50V集电极电流(Ic)：100mA耗散功率(Pd)：150mW直流电流增益(hFE)：30@10mA,5V
10+： ￥ 0.39411
100+： ￥ 0.31122
300+： ￥ 0.26966
3000+： ￥ 0.23861
6000+： ￥ 0.2137
品牌：UMW(友台半导体)
批号：25+
参数：漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流(Id)：5A导通电阻(RDS(on))：29mΩ@4.5V,5A耗散功率(Pd)：1.3W阈值电压(Vgs(th))：1.1V
10+： ￥ 0.41043
100+： ￥ 0.32818
300+： ￥ 0.28715
3000+： ￥ 0.24603
封装：SOT-323
参数：数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V连续漏极电流(Id)：1.8A导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V,1.8A耗散功率(Pd)：290mW阈值电压(Vgs(th))：400mV
20+： ￥ 0.17015
200+： ￥ 0.13565
600+： ￥ 0.11652
3000+： ￥ 0.104
9000+： ￥ 0.09405
参数：集射极击穿电压(Vceo)：50V集电极电流(Ic)：100mA耗散功率(Pd)：200mW直流电流增益(hFE)：100@1mA,5V
20+： ￥ 0.14649
200+： ￥ 0.11448
600+： ￥ 0.09667
3000+： ￥ 0.08597
9000+： ￥ 0.07674
21000+： ￥ 0.07176
品牌：ALLPOWER(铨力)
参数：类型：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：40A功率(Pd)：40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
5+： ￥ 1.14323
50+： ￥ 0.97911
150+： ￥ 0.90871
500+： ￥ 0.82093
2500+： ￥ 0.78177
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